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SSD 980 PRO M.2 PCIE 4.0 X4 NVME (MZ-V8P2T0BW)

C2-000367426

Nuovo prodotto

Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacità SSD: 2000 GB, Fattore di forma dell'unità SSD: M.2, Velocità di lettura: 7000 MB/s, Velocità di scrittura: 5100 MB/s, Componente per: PC/PC portatile

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Scheda tecnica

Velocità di lettura7000 MB/s
Velocità di scrittura5100 MB/s
Altezza22,1 mm
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
Peso9 g
Larghezza80,2 mm
Profondità2,38 mm
Componente perPC/PC portatile
Capacità SSD2000 GB
Random read (4KB)1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Random write (4KB)1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
InterfacciaPCI Express 4.0
Tipo memoriaV-NAND MLC
MTBF1500000 h
Fattore di forma dell'unità SSDM.2
Shock di funzionamento1500 G
Supporto S.M.A.R.T.Sì
NVM Express (NVMe) supportatoSì
criptaggio hardwareSì
Tensione di esercizio3,3 V
Consumo energetico (medio)6,1 W
Massima temperatura di funzionamento70 °C

Dettagli

Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacità SSD: 2000 GB, Fattore di forma dell'unità SSD: M.2, Velocità di lettura: 7000 MB/s, Velocità di scrittura: 5100 MB/s, Componente per: PC/PC portatile


Caratteristiche
Dimensione SSDM.2
Capacità SSD2000 GB
InterfacciaPCI Express 4.0
Tipo memoriaV-NAND MLC
NVMeSì
Componente perPC/PC portatile
criptaggio hardwareSì
Velocità di lettura7000 MB/s
Velocità di scrittura5100 MB/s
Lettura casuale (4KB)1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)1000000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h
Gestione energetica
Tensione di esercizio3,3 V
Consumo energetico (medio)6,1 W
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °C
Massima temperatura di funzionamento70 °C
Shock di funzionamento1500 G
Dimensioni e peso
Larghezza80,2 mm
Profondità2,38 mm
Altezza22,1 mm
Peso9 g
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    Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacità SSD: 2000 GB, Fattore di forma dell'unità SSD: M.2, Velocità di lettura: 7000 MB/s, Velocità di scrittura: 5100 MB/s, Componente per: PC/PC portatile

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